SMALL sputter2 화합물 박막 형성과 자기장 설정: 스퍼터링 공정 최적화 다양한 화합물의 박막을 형성하는 반응성 스퍼터링 공정 설정하기가스 분압은 Mass Flow Controller, MFC를 이용해 제어됩니다. MFC는 가스의 질량을 기준으로 유량을 계산하여 제어하는 모듈입니다. 반응성 가스의 양을 조절하여 정확한 화학양론비를 가진 박막을 형성할 수 있습니다. Reactive sputtering은 source target을 통해 물리적 충돌로 기판 위에 박막을 형성하고, 반응성 가스를 주입하여 화학반응을 유도합니다. 가스의 양은 챔버 내부에 주입된 전체가스와 반응성 가스의 비율에 의해 결정되며, MFC를 통해 정밀하게 제어할 수 있습니다. 특히, 0.1sccm 미만의 양도 제어 가능한 MFC 장치가 있어 가스 분압을 조절하기 용이합니다.화합물의 박막을 형성하는 반응성 스퍼.. 2024. 10. 8. 전문가와 함께하는 실무 경험으로 배우는 반도체 제작의 핵심과정 전문가들과의 소통을 통한 실무 경험저는 조교님들과 함께 한 소중한 시간을 통해 많은 것을 배웠습니다. 조교님들은 항상 최신 연구에 관심을 갖고 있으며, 현업에서 바로 적용할 수 있는 경험이 풍부하여 대화와 질문을 통한 소통이 매우 의미 있는 시간이었습니다. 특히 이슈와 공정의 이유들을 자세히 설명해주시고, 질문을 유도하며 계속해서 리마인드해주셨기 때문에 많은 도움을 받을 수 있었습니다. 이론적인 공부만으로는 부족한 부분을 실제로 직접 경험함으로써 지식들이 더욱 유기적으로 연결되는 경험이었습니다. 저희 조는 Cu 도금, PR strip, Cu seed etching 후에 inspection 과정을 진행했습니다. 웨이퍼 위 패턴이 도금 후에 약간 올라오는 모습을 직관적으로 확인할 수 있었고, inductor.. 2024. 9. 9. 이전 1 다음
